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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:推出現(xiàn)貨四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻KDB-2B

  • 產(chǎn)品型號:KDB-2B
  • 產(chǎn)品廠商:同德
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻,該方法操作簡單,測量**。 儀器特點(diǎn)如下: 1、配有雙數(shù)字表:一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時,另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時監(jiān)測全過程中的電流變化,使操作更簡便,測量更**。
詳情介紹:
KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻,該方法操作簡單,測量**。  
儀器特點(diǎn)如下:  
1、配有雙數(shù)字表:一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時,另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時監(jiān)測全過程中的電流變化,使操作更簡便,測量更**。  
數(shù)字電壓表量程:0—19.999mV  靈敏度:1μV  輸入阻抗:1000ΜΩ  
 基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度) ;  
2、方塊電阻測量范圍:1×10-5~1.9Ω/□;  
3、電流量程分兩檔:100mA和1000mA。 
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